近期，学校党委常委、副校长罗小蓉教授受邀出席2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在宽禁带半导体产业链协同发展专场分论坛上半程，罗小蓉担任主持人，并作题为《GaN功率器件栅极工程与高耐压新结构》的主旨报告，为论坛注入专业洞见。

本届论坛在安徽芜湖召开，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所主办，西安电子科技大学芜湖研究院、北京天科合达半导体股份有限公司、芜湖西创科技有限公司承办，以“破局2025，解锁应用新市场”为主题，汇聚了来自宽禁带半导体产业链耗材、设备、材料、外延、器件到应用等上中下游的逾400位行业精英、近200家知名企业代表以及国内外顶尖专家学者。与会各方聚焦产业链协同发展的关键路径、核心技术的突破性进展以及新兴应用市场的巨大潜力，展开了富有成效的交流与碰撞，全方位勾勒出产业升级的破局之道，为宽禁带半导体开拓新市场注入强劲动能。

罗小蓉作报告