硕士生导师 张连 简介
（2026年3月5日更新）
【个人简介】
张连，女，博士，副教授，硕士生导师。2012年获中国科学院半导体研究所博士学位。2012至2025年6月任中科院半导体所副研究员。2025年7月起任成都信息工程大学通信学院副教授，校青年拔尖人才。
主要从事氮化镓（GaN）基材料外延及高电子迁移率晶体管（HEMT）、双极型晶体管（HBT）等射频材料与器件研究，在5G/6G通信、雷达探测等领域应用前景广泛。先后主持了国家自然基金委青年项目、面上项目以及JKW基金课题，参与多项科技部重点研发、科工局科学挑战专题等课题。在美国物理快报（APL）、IEEE EDL、TED等高水平期刊上发表论文40余篇。成果获诺贝尔物理学奖得主中村修二教授亲笔信评价，获国际权威杂志Semiconductor Today专题报道2次。以第一发明人授权专利5项，其中2项成果转化490万。
【研究方向】
1．微波毫米波射频集成电路
2. 微波射频器件与工艺
3．高压集成器件与工艺
【在研项目】
(1) 成都信息工程大学校创新能力提升计划集成专项，高功率密度Ka波段GaN射频器件机理与关键技术研究，2026.01-2029.12，主持，在研。
(2) 电子薄膜与集成器件全国重点实验室开放基金，高功率密度GaN射频器件研究，2025.12-2027.11，主持，在研
【完成项目】
(2) 某部委基金项目，射频GaN基HBT材料与芯片, 2021.10-2024.10, 课题负责人，已结题。
(3) 中科院稳定支持青年团队计划，5G/6G高性能射频器件研究，2022.01-2027.12，骨干参与，在研。
(4) 科学挑战计划,超高频GaN基HEMT异质结外延与源漏再生长研究, 2018-01 至2021-12, 骨干参与，已结题。
(5) 国家自然基金委面上项目，基于选区外延p型栅的增强型GaN基HEMT研究，2017.01-2020.12，主持，已结题。
(6) 国家自然基金委青年项目，极化调控 GaN 基三元合金能带和掺杂效应的研究，2014.01-2016.12，主持，已结题。
【代表性论文】
(1) Lian Zhang, Jianxing Xu, Jiaheng He, et al., AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors with record fT/fmax=21.6/4.23 GHz, IEEE Electron Device Letters, 46(6), 912-915, 2025, 中科院二区
(2) Yawei He#, Lian Zhang#, Zhe Cheng, et al., Scaled InAlN/GaN HEMT on Sapphire with fT/fmax of 190/301 GHz，IEEE Transactions on Electron Devices，70(6), 3001-3004, 2023. (共同一作)，中科院二区
(3) Lian Zhang, Xinyuan Wang, Jianping Zeng, et al., AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors With High Current Gain and Low Specific on-Resistance, IEEE Transactions on Electron Devices, 69(12): 6633-6636, 2022. 中科院二区
(4) Lian Zhang, Zhe Cheng, Yawei He, et al., Optimization of selective-area regrown n- GaN via MOCVD for high-frequency HEMT, Applied Physics Letters, 119(262104), 2021. 中科院二区
(5) Lian Zhang, Zhe Cheng, Jianping Zeng, et al., AlGaN/GaN Hetero-Junction Bipolar Transistor with Selective-Area Grown Emitter and Improved Base Contact, IEEE Transactions on Electron Devices, 66(3): 1197-1201,2019. 中科院二区
(6) Lian Zhang, Rong Wang, Zhe Liu, et al., Regulation of Hole Concentration and Mobility and First-Principle Analysis of Mg-Doping in InGaN Grown by MOCVD, Materials, 14(5339), 2021.
(7) Mengxiao Lian, Jiaheng He, Lian Zhang, Shujie Xie, Xuankun Wu, et. Al., Simulation analysis of current collapse suppression in GaN HEMTs using a Si δ-doped cap layer, Micro and Nanostructures, 210, 208468, 2026.
【代表性授权专利】
(1) 张连，张韵，程哲，HEMT器件及其制作方法，专利号：ZL202010846206.1，授权日：2024.09.06。
(2) 张连，张韵，王军喜，李晋闽，降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，专利号：ZL201510309494.6，授权日：2019.05.17，已转化。
(3) 张连，张韵，闫建昌，王军喜，李晋闽，一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法，专利号：ZL201410505205.5，授权日：2018.10.02，已转化。
(4) 张韵，王欣远，张连，高幸发，异质结双极型晶体管及其制作方法，专利号：ZL202211083876.8，授权日：2025.09.06。
(5) 程哲，张韵，张连，绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，专利号：ZL 202111028226.9，授权日：2024.05.03。
(6) 张韵，杨秀霞，张连，p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法，专利号：ZL202010262718.3，授权日：2022.10.18。
(7) 张韵，赵璐，张连，半导体器件及其制备方法，专利号：CN 109841708 B，授权日：2022.05.31。
【联系方式】
邮箱：zhanglian@cuit.edu.cn
电话：18610806920
