硕士生导师 杨燕 简介

（2026年9月更新）

【个人简介】

  杨燕，女，副教授，生于1990年，中共党员，博士研究生学历，博士（后）学位。2020年毕业于电子科技大学微电子学与固体电子学专业，并在电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室完成博士后科研工作。近年来，长期从事存算一体芯片电路设计、智能神经形态计算芯片及毫米波宽带磁性集成器件的研发，主持国家自然基金、四川省面上和青年项目、成都市科技项目、中国工程物理研究院、中国科学院微电子研究所、中航二院及多家企业技术开发项目20余项。在国内外高水平期刊和重要学术会议上发表SCI论文30余篇,其中第一作者SCI收录18篇，EI收录2篇。先后获得全国电工电子基础课程实验教学案例设计竞赛全国二等奖、四川省科学技术进步奖三等奖、全国集成电路创新设计大赛优秀指导教师。申请专利30余项，第一发明人授权美国专利1项，授权中国发明专利11项，授权实用新型专利10余项，集成电路版图8项。

【研究方向】

1．数模混合专用集成电路与系统

2．微波射频器件与工艺

3.   射频/微波/毫米波集成电路与系统

【在研项目】

1. 镍铁氧体多相界面动力学调控及其自旋波线宽增强机理研究，国家自然科学基金青年基金，主持

2、 基于新型存储器的低功耗神经形态计算芯片，四川省科技厅面上项目，主持

3．微波通讯用低损耗LTCC铁氧体材料及器件应用研究，四川省科技厅自然科学基金，主持

4. SRAM存储器阵列芯片上位机程序开发 ，横向项目，主持

5、SRAM存储器阵列芯片上位机程序开发, 横向项目，主持

6、基于FPGA的SRAM存储器阵列芯片功能验证系统开发，横向项目，主持

7、7T SRAM单元及读电路设计，横向项目，主持

8、定制化6T SRAM芯片设计，横向项目，主持

9、生物传感单元设计与制备，横向项目，主持

10、基于XXXX集成XX技术， “十二五”总装预研项目，主研

【完成项目】

1．高安全性OTP存储器系统，四川省科技厅（2018RZ0068），项目负责人，2019年12月完成

2．高安全数据可压缩固态存储控制芯片关键技术研究，四川省科技厅（2020JDRC0077），项目负责人，2022年6月完成

3．自主安全可控存储控制芯片，成都市科技厅项目，项目负责人，2020年6月完成

4．高适配NAND Flash非易失性存储控制芯片关键技术研究，四川省教育厅，项目负责人，2019年完成

5．NAND Flash非易失性存储控制芯片，校选项目，项目负责人，2019年12月完成

6、存储控制芯片的RAID算法设计，横向，项目负责人，2022年12月完成

7、AI计算的星载存储器芯片设计，横向，项目负责 人，2023年6月完成

8、SSD控制芯片关键数字模块设计，横向，项目负责人

9、先进节点SRAM芯片设计，横向，项目负责人

10、高精度多路检测电路开发，横向，项目负责人

【发表论文】

1. Wenxuan Sun1=, Yan Yang2=, Xiaoxin Xu*, et al., A 25-Layer 3D Vertical RRAM Array Featuring Separate-Memory-Cell Architecture: High Density (25Mb/mm²) and Enhanced Electro-Thermal Reliability via Design-Technology Co-Optimization, 2026 (共同一作)

2. Yan Yang*, et al., A facile method for fabricating ffexible and transparent coplanar waveguides resonator with enhanced humidity sensitivity, Sensors & Actuators: B. Chemical, 443,138205, 2025 (一作，JCR: 一区)

[3] Yan Yang, et al., Multi-ion substitution enhanced gyromagnetic and dielectric properties in garnet microwave ferrites for low-loss and miniaturized circulators，Journal of Alloys and Compounds, 109(9) , 2026. (一作，JCR: 二区)

[4] Yan Yang*, et al, Influence of nano-NiZn and Bi2O3 additives on grain size and magnetic properties of Ni-Zn ferrites for ultra-low loss and enhanced gyromagnetic performance, Ceramic International, Vol. 52, 2026. (一作，JCR:二区)

[5] Zongcheng Su, Yan Yang*, et al., Ultra-Low FMR Linewidth in Pr–NiZn Microwave Ferrites: Mechanism Insights With Machine Learning-Assisted Prediction，Journal of the American Ceramic Society, 186615, 2026. (通讯作者，JCR: 二区)

[6] Yan Yang*, Jie Li, Huaiwu Zhang, et al, Cd2+ enhanced the structure, electrical and magentic properties of low-temperature sintered NiCuZn ferrites, Ceramic International, 2024, 50(5): 7247- 7254  (一作，JCR: 二区)

[16] Xiaohui Li, Yan Yang*, et al, Potential-based Model for Asymmetric and Symmetric Double-Gate Organic Thin-Film Transistors, Organic Electronics,144, 107286, 2025. (通讯作者)

[7] Yan Yang*, et al Nb5+ ion substitution assisted the magnetic and gyromagnetic properties of NiCuZn ferrite for high frequency LTCC devices, Ceramic International, Vol. 48(9), Page 12490-12496, 2022. (一作，JCR: 二区)

[8] Yan Yang*, Jie Li, Huaiwu Zhang, et al, Enhanced gyromagnetic properties of NiCuZn ferrite ceramics for LTCC applications by adjusting MnO2-Bi2O3 substitution, Ceramic International, Vol. 44, Page 19370-19376, 2018. (一作, JCR:二区)

[9] Yan Yang*, Xiqing Xu, et al, Nano-TiO2 substituted LiZnBi ferrite ceramics with low sintering temperature and enhanced magnetic properties for LTCC applications, Journal of Alloys and Compounds, Vol.775, Page 1244-1250, 2019.(一作, JCR: 二区)

[10] Yan Yang*, Huaiwu Zhang, Jie Li et al, Effects of Bi2O3-Nb2O5 additives on microstructure and magnetic properties of low-temperature-fired NiCuZn ferrite ceramics, Ceramic International, Vol. 44, 2018. (一作，JCR:二区)

【授权专利】

1、杨燕, High-temperature protection method for solid state drive and implementation device thereof，专利号：US11010063B2 。授权美国专利。

2、杨燕;一种数字可调的振荡器; 授权中国发明专利

3、杨燕;一种透明柔性湿度传感器及其制备方法；授权中国发明专利

4、杨燕;一种具有电阻补偿的带隙基准电路；授权中国发明专利

5、杨燕;一种有效数据检测及并行输出系统；授权中国实用新型专利

6、杨燕;一种无运放高阶低温漂带隙基准电路；授权中国发明专利

7、杨燕;一种存储器电路；授权中国发明专利

8、杨燕;一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置；授权中国发明专利

9、杨燕;一种高可靠性固态硬盘；授权中国发明专利

10、杨燕;一种NAND Flash控制器的控制装置；授权中国发明新型专利

11、杨燕;一种时序控制全数字DLL控制电路授权中国发明新型专利

【获奖情况】

1、 “2018年第五届全国电工电子基础课程实验教学案例设计竞赛（鼎阳杯）”全国二等奖（国家级教学奖）（第一）；

2、第二届全国高校电子科学课程群教学案例大赛，三等奖，（第一）；

3、连续三届荣获大学生集成电路设计.应用创新大赛优秀指导教师（第一）。

【联系方式】

电子邮件： yangyan1@cuit.edu.cn

办公电话： 028-85966249