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毛焜 博士
2017-03-27 16:00   审核人:

硕士生导师  毛焜  简介


 

【基本信息】

所在部门: 通信工程学院

职  称:博士

出生年月: 19837

电子邮件: maokun83722@163.com

办公电话: 85966249

手机号码:13880698179

 

【个人简介】

毛焜,男,讲师,生于1983年,中共党员,博士研究生学历,博士学位。2015年毕业于电子科技大学,获得微电子学与固体电子学博士学位。2009年电子科技大学微电子硕士毕业后一直在企业工作,专注于高压模拟集成电路、高压BCD工艺和高压功率器件的研究。参与设计10余款芯片产品,量产芯片超过2亿颗。开发之高压700V BCD工艺量产芯片累计超过10万片(8寸),芯片超过20亿颗。

 

【研究方向】

  1.  模拟/射频/微波/毫米波集成电路设计

  2. 高压功率器件和集成工艺

 

【在研项目】

  1. 新型超高压多倍RESURF变掺杂nLDMOS结构及其集成关键技术,国家自然科学基金,项目负责人。

  2. 超高压纵向超结双通道LDMOS结构及其集成化技术研究,本校引进人才项目,项目负责人。

 

【完成项目】

  1. 节能&汽车电子产品设计(编号:2010ZX02201-003-002),国家科技重大专项,主研人员

  2. SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构(编号:60906038),国家自然科学基金,主研人员

  3. 高压700V BCD工艺开发,横向项目,项目负责人

  4. PSM控制模式AC-DC电源管理芯片设计,横向项目,项目负责人

  5. 遥控车用遥控接收及驱动IC设计,横向项目,项目负责人

  6. 华虹NEC 600V CoolMOS器件开发,横向项目,项目负责人

  7. 高压栅驱动芯片设计,横向项目,项目负责人

  8. LED用恒流二极管设计,横向项目,项目负责人

 

【发表论文】

以第一作者发表SCI论文5篇,EI检索论文3篇。

  1. Kun Mao, Hai Nie, and Yao Yao. Effect of p-Type Buried Layer Dose on Hot Carrier Degradation of RON in 700 V Triple. IEEE Electron Device Letters, 2016, PP(99):1-1

  2. Kun Mao, Ming Qiao, Zhaoji Li and Bo Zhang. 700 V ultra-low on-resistance DB-nLDMOS with optimised thermal budget and neck region. Electronics Letters, 2014, 50(3): 209-211

  3. Kun Mao, Ming Qiao, Zhaoji Li and Bo Zhang. low-cost low-power HV startup circuit with 50 V pJFET and 700 V T-nJFET. Electronics Letters, 2013, 49(21): 1318-1320

  4. Kun Mao, Ming Qiao, Wentong Zhang, Zhaoji Li and Bo Zhang. A 700 V Narrow Channel nJFET with Low Pinch-Off Voltage and Suppressed Drain-Induced Barrier Lowering Effect. Superlattices and Microstructures, 2014, 75, 576–585

  5. Kun Mao, Ming Qiao, Lingli Jiang, Huaping Jiang, Zehong Li, Weizhong Chen, Zhaoji Li and Bo Zhang. A 0.35 μm 700 V BCD Technology with Self-Isolated and Non-Isolated Ultra-low Specific On-Resistance DB-nLDMOS. IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2013, 397-400  

  6. Kun Mao, Ming Qiao, Bo Zhang and Zhaoji Li. A 800 V Dual Conduction Paths Segmented Anode LIGBT with Low Specific On-Resistance and Small Shift Voltage. Journal of Semiconductors, 2014, 35(5): 054004-6

  7. Kun Mao, Ming Qiao, Wentong Zhang, Zhaoji Li and Bo Zhang. A 700 V Low Specific On-Resistance Self-Isolated DB-nLDMOS. IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2014, 1-2  

 

【获奖情况】

  1. 横向项目高压700V BCD工艺获得2016年四川省科技进步一等奖

 

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