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毛焜
2016-10-28 16:35   审核人:

姓名:毛焜

性别:男

出生年月:1983年7月

职务:

职称:讲师

邮箱:mk@cuit.edu.cn

详细介绍

[教育背景及海外进修经历]:

09/2010~06/2015:博士研究生,电子科技大学,微电子学与固体电子学

09/2006~06/2009:硕士研究生,电子科技大学,微电子学与固体电子学

09/2002~06/2006:本科生,西南交通大学,微电子技术

[研究方向]:

以高压功率器件、高压BCD工艺和高压模拟集成电路等为主要研究方向

[主要承担课程]:

微电子器件

[在研项目]:

新型超高压多倍RESURF变掺杂nLDMOS结构及其集成关键技术,国家自然科学基金青年,项目起始时间:2017年1月-2019年12月。

[代表性成果]:

1)SCI期刊论文:

[1] Kun Mao, Hai Nie, and Yao Yao. Effect of p-Type Buried Layer Dose on Hot Carrier Degradation of RON in 700 V Triple. IEEE Electron Device Letters, 2016, PP(99):1-1

[2] Kun Mao, Ming Qiao, Zhaoji Li and Bo Zhang. 700 V ultra-low on-resistance DB-nLDMOS with optimised thermal budget and neck region. Electronics Letters, 2014, 50(3): 209-211

[3] Kun Mao, Ming Qiao, Zhaoji Li and Bo Zhang. low-cost low-power HV startup circuit with 50V pJFET and 700 V T-nJFET. Electronics Letters, 2013, 49(21): 1318-1320

[4] Kun Mao, Ming Qiao, Wentong Zhang, Zhaoji Li and Bo Zhang. A 700 V Narrow Channel

nJFET with Low Pinch-Off Voltage and Suppressed Drain-Induced Barrier Lowering Effect. Superlattices and Microstructures, 2014, 75, 576–585

[5] Kun Mao. Before this, there was no mature 700 V process technology in our country.

Electronics Letters, 2013, 49(21): 1306-1306

2)重要国际会议论文

[1] Kun Mao, Ming Qiao, Lingli Jiang, Huaping Jiang, Zehong Li, Weizhong Chen, Zhaoji Li and Bo Zhang. A 0.35 μm 700 V BCD Technology with Self-Isolated and Non-Isolated Ultra-low Specific On-Resistance DB-nLDMOS. IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2013, 397-400

[2] Kun Mao, Ming Qiao, Wentong Zhang, Zhaoji Li and Bo Zhang. A 700 V Low Specific

On-Resistance Self-Isolated DB-nLDMOS. IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2014, 1-2

3)专利

[1] 毛焜:一种多通道LDMOS 及制备方法[P],中国,发明专利,ZL201110005812.1,2013年2 月13 日

[2] 毛焜,乔明:一种LDMOS、集成该LDMOS 的半导体器件及其制造方法[P],中国,发明专利,ZL201110005836.7,2013 年11 月6 日

[3] 乔明,毛焜, 张波:LDMOS 及集成LDMOS 器件[P],中国,使用新型专利,ZL201120374940.9,2012 年6 月13 日

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